硅单晶炉
主要用途:软轴单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器加热,使硅半导体材料熔化,用直拉法生长无错
           位单晶的设备。它可生产大规模集成电路所需要的高质量单晶。
主要组成:炉室系统、提升系统、传动系统、抽气系统、充气系统、水冷系统、加热系统、电控系统。
主要特点:温度自动控制、电机调速控制、光环法单晶直径自动控制、单晶熔体自动跟随、单晶重量及长度显
           示等功能。各拉晶有关参数包括籽晶轴、坩埚轴的转动速度、晶升和埚升速度、炉内压力等数据都
           采用数字显示仪表指示。能稳定的控制生长直径3—8″、直径均匀的无错位单晶。主要部位冷却水
           温的检测与超温报警、冷却水欠压报警。籽晶轴、坩埚轴超程限位报警,及应急手动提升机构,电
           流过流保护等。
硅单晶炉主要技术参数
                规格型号
指标参数

SPC-30

SPC-60

电源电压

380VAC

380VAC

电源频率

50Hz

50Hz

电源相数

3

3

变压器容量

160KVA

200KVA

加热器最大加热功率

120KW

150KW

加热器最高电压

70V

70V

最高加热温度

1600

1600

冷炉极限真空度

3 Pa

3 Pa

晶体直径

36

68

装料量

30Kg

60Kg

籽晶拉速范围

0.1-10mm/min

0.1- 10mm/min

籽晶快速

10-320mm/min

10400mm/min

籽晶转速

1-50rpm

140 rpm

籽晶在炉内有效行程???

2300mm

2550mm

晶升升速时爬行量

 

0.01mm

籽晶轴摆动量引晶位置处

 

≤φ2mm

坩埚升速范围

0.02-2.5mm/min

0.02- 2.5mm/min

坩埚升快速

35mm/min

60 mm/min

坩埚转速范围

1-30rpm

130rpm

坩埚在炉内行程

360mm

<400mm

埚升爬行升速

 

0.006mm

坩埚轴圆跳动

 

0.08mm

最大冷却水压

0.3MPa

0.3MPa

主机外形尺寸:

 

2530×1703×5730mm

主机工作高度

4900mm

6000mm

主机重量

2500kg

4500 Kg